半導(dǎo)體物理釋義

漂移遷移率(drift mobility)

載流子在電場(chǎng)作用下運(yùn)動(dòng)速度的快慢的量度,運(yùn)動(dòng)得越快,遷移率越大;運(yùn)動(dòng)得慢,遷移率小。

物理釋義

在均勻的半導(dǎo)體材料中,用局部的光脈沖照射會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光脈沖停止后,整個(gè)非平衡載流子的“包”在電場(chǎng)作用下以漂移速度v=μ|E|向樣品一端運(yùn)動(dòng),若已知電場(chǎng)強(qiáng)度|E|及脈沖電荷包漂移的距離x,可計(jì)算出遷移率μ=x/(|E|t),其中t為光脈沖停止時(shí)刻與示波器探測(cè)到非平衡載流子電荷包的時(shí)間隔,這樣測(cè)得的遷移率為漂移遷移率。漂移遷移率是非平衡載流子的平均漂移速度與電場(chǎng)強(qiáng)度的絕對(duì)值之比。