呂長志 研究員 中國電子學(xué)會高級會員。

基本情況

1974年畢業(yè)于北京工業(yè)大學(xué)無線電系半導(dǎo)體物理與器件專業(yè)并留校任教,1991年在北京工業(yè)大學(xué)在職研究生畢業(yè)。因本人在科研方面的突出成績,于1998年獲中華人民共和國國務(wù)院特殊津貼獎勵。1996—2000年作為訪問學(xué)者分別在美國伊利諾依大學(xué)(UIUC)和弗吉尼亞州立大學(xué)(VCU)從事氮化鎵(GaN)基器件的研究,獲得了當(dāng)時世界領(lǐng)先的AlGaN/GaN MODFET(調(diào)制摻雜場效應(yīng)晶體管)、GaN P-I-N 紫外光探測器科研成果,并發(fā)表了相應(yīng)的論文。因本人在出國留學(xué)期間發(fā)表的高水平科研論文、在此期間取得的科研成果及所創(chuàng)造的經(jīng)濟效益,于2005年獲第二屆北京市留學(xué)人員創(chuàng)業(yè)獎。

主要研究

方向:

AlGaN/GaN MODFET、GaN基紫外探測器等新型半導(dǎo)體器件的設(shè)計及制造;半導(dǎo)體器件、集成電路熱阻的測試研究;電子元器件、集成電路可靠性及加速壽命試驗的研究。

在研課題:

GaN/AlGaN HFET的結(jié)構(gòu)材料生長和器件設(shè)計制造基礎(chǔ)技術(shù);GaN基紫外探測器研究;軍用半導(dǎo)體分立器件加速壽命試驗新方法的應(yīng)用研究。

科研成果

1.獲北京市、電子工業(yè)部科技進步獎7項,其中有“功率晶體管峰值結(jié)溫非破壞性測量技術(shù)”“砷化鎵場效應(yīng)晶體管溝道溫度精確測量技術(shù)”“稅務(wù)數(shù)據(jù)自動化采集和計算機讀卡接收系統(tǒng)”等。

2.獲國家發(fā)明專利4項,實用新型專利1項。

3.與他人合著《超大規(guī)模集成電路設(shè)計技術(shù)-從電路到芯片》、譯著《半導(dǎo)體器件電子學(xué)》《低成本倒裝芯片技術(shù)》。