蔡勇，1993年于東南大學電子工程系畢業(yè)，獲得半導體物理與器件專業(yè)學士學位。同年加入南京電子器件研究所五中心，從事硅雙極型微波功率晶體管研究工作。1998年考入北京大學微電子所碩士研究生，2000年轉(zhuǎn)為博士研究生，于2003年獲得微電子學與固體電子學專業(yè)博士學位。

中文名

蔡勇

性別

男

民族

漢

國籍

中國

畢業(yè)院校

香港科技大學

職業(yè)

中國科學院研究員

專業(yè)

固態(tài)高頻器件與電路

主要成就

率先發(fā)現(xiàn)了氟離子對AIGaN/GaN異質(zhì)結(jié)二維電子氣的調(diào)制現(xiàn)象。

人物經(jīng)歷

2003年至2006年在香港科技大學電子電機系做博士后，致力于III族氮化物器件與集成電路研究。2006年至2008年在香港應(yīng)用科技研究院有限公司LED器件組任研發(fā)經(jīng)理，帶領(lǐng)研究小組進行大功率、高亮度GaN LED器件的研究與開發(fā)。2008年12月加入蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所，現(xiàn)為項目研究員，碩士生導師。

研究方向

1、半導體光電器件；2、固態(tài)高頻器件與電路。

科研成果

率先發(fā)現(xiàn)了氟離子對AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)二維電子氣的調(diào)制現(xiàn)象，并提出了物理解釋；基于這一新發(fā)現(xiàn)，成功地研制出高性能增強型AlGaN/GaN HEMTs。開發(fā)出GaN基單片集成新技術(shù)，研制出可在375 ℃ 高溫下正常工作的GaN基DCFL電路。發(fā)明了利用化學機械研磨(CMP)實現(xiàn)垂直結(jié)構(gòu)大功率GaN LED的新技術(shù)。在國內(nèi)外專業(yè)期刊及會議發(fā)表學術(shù)論文三十余篇，申請美國專利六項，其中兩項處于公告期，申請中國專利兩項。